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第1369章znote5的探索版(第1/2页)
“陈总，卢总，首先是陆教授那边最新研发的凌霄H4处理器，上个礼拜已经从TSMC正式流片封装回来了。我们工程团队这几天加班加点，已经把首批芯片贴片装到了ZnOte5的EVT工程样机上，正在进行高强度的底层联调测试。”
“不过陈总，从目前我们跑出来的实验室数据来看，这颗凌霄H4除了在影像端新增了独立的双12bitISP图像信号处理器，以及把大核最高主频调制拉高到了2.4GHZ之外，在CPU底层微架构和能耗比上，其他的升级幅度并不算太大。目前工程组正在抓紧时间做温控曲线和频率调度的摸底测试。”
坐在办公桌后的陈星拿起其中一台工程机，按亮屏幕看了一眼底层硬件信息，神色平静地点了点头：
“我明白，实际情况我前两天听陆教授汇报过了。”
对于这颗被命名为凌霄H4的芯片，陈星心里的预期一直很客观。
严格来说，这颗对外命名为凌霄H4的芯片，如果按照红星内部的技术迭代标准，称呼它为“凌霄H3PrO”或者“凌霄H3PlUS”其实更加合适。
跟上个月王藤在闪耀K30上用的那颗超频版凌霄H3相比，这颗凌霄H4在核心CPU微架构上并没有做推倒重来的大改动，依然采用的是台积电成熟的28nmHPM工艺制程。
受限于目前的晶圆代工成本和半导体制程工艺瓶颈，陆远江的团队并没有在这颗走量的旗舰芯片上进行大刀阔斧的激进改动。
除了微调核心主频、换上更强的双ISP之外，最主要的改动就是把内存控制器进行了升级，支持的内存带宽由原本的LPDDR312.2GB/S，提升到了更快的LPDDR314.6GB/S，而底层的制造工艺，依然稳扎稳打地沿用了台积电最成熟的制程。
“陈总，受限于今年的工艺节点，陆教授团队在凌霄H4上走的是稳扎稳打的路线。”
陈星轻轻点了点头，手指在工程机的背板上摸了摸：“理解。今年和明年上半年，是整个移动半导体行业最难熬的工艺断代期，稳一点是对的。”
至于为什么不在CPU制程上直接一步到位冲上最新的20nm工艺？
这里头就不得不提到整个全球智能手机行业，在2014年到2015年即将迎来的那场至暗时刻了。
对于全球所有的芯片设计公司和手机厂商而言，2014年和2015年，注定是极其难熬的两年。
原因很简单，摩尔定律在平面晶体管时代，已经彻底撞上物理极限的南墙了。
统治了行业两年的28nmHPM工艺，潜力已经被榨干到了极致。
如果继续在28nm上强行拉高核心主频、堆砌晶体管数量，必然会导致严重的栅极漏电现象，随之而来的就是功耗失控、发热爆炸。
为了突破28nm的限制，TSMC今年确实量产了全新的20nm平面工艺。
水果下半年的A8芯片，以及高通那边正在紧锣密鼓筹备的骁龙810，全都一窝蜂地扑向了台积电的20nm产线。
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但只有真正经历过这一切的陈星清楚，20nm的平面工艺，完全就是一个彻头彻尾的半吊子陷阱！
在没有引入三维立体结构之前，20nm平面工艺的绝缘层非常薄，电子隧穿效应带来的静态漏电比28nm还要恐怖得多。
稍微一跑高负载任务，芯片核心温度瞬间就飙升，紧接着就是疯狂降频锁核。
前世高通的骁龙810为什么会化身“火龙”，在2015年把一众安卓旗舰机型烧得尸横遍野？
罪魁祸首就是TSMC这代不成熟的20nm平面工艺！
（当然，这里有点绝对了，还有核心，强行64位等因素。）
目前整个半导体行业，其实都在苦苦等待台积电和三星16nm/14nmFinFET的3D立体工艺能够真正走向成熟量产。
在这段青黄不接的真空期里，对红星而言同样是比较难过的。
所以在陈星的亲自干预下，陆教授的团队放弃了去趟20nm平面工艺的浑水，只在凌霄H4上做了外围ISP和内存带宽的小幅迭代，把功耗控制在安全线内，是最稳妥的做法。
至于红星用来炫技和探索极限的绝影系列芯片嘛……那个无所谓，向来是有多激进搞多激进，反正绝影系列立项之初就是奔着亏钱做技术验证去的。
陈星放下点亮屏幕的样机，顺手拿起桌上另外两台未开机的工程机，翻过来仔细打量着它们的机身背面。
看到陈星的动作，扬拓立刻上前一步，指着三台手机截然不同的后盖材质介