第一一一六章不同意

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    GCA当时投入研发EUV技术项目的3000万美元经费，可以收购ASML40%的股权，不是一笔小数目！
    GCA当时账上的现金流只剩下300多万美元，公司要花钱的地方多的是。
    孙健前世在互联网上看过不少有关ASMLEUV光刻机的文章，作者纷纷感叹研发和生产EUV光刻机之难难于上青天，被称为外星人的科技水准，是迄今为止人类科技领域所能达到的最尖端技术，没有之一。
    为了打破封锁，投入巨资，举国之力也没有看见成果。
    前世90年代末，干式193nm波长光刻机遇到了65nm制程工艺的极限，再往下就寸步难行，如何跨入40nm制程工艺？成为阻挡所有光刻机等半导体厂商的世界性难题，科学家和产业界提出了各种超越193nm波长的方案，其中包括157nmF2激光，电子束投射(EPL)，离子投射(IPL)、EUV(13.5nm)和X光等。
    相对而言，157nmF2激光的技术难度稍低，不少公司开始下注157nmF2激光，其中尼康和SVG在这个技术路线走的最远，是最接近商业化量产的两家公司。
    几年后，ASML收购了SVG，也拥有了157nmF2激光技术，又砸下数亿美元进行研发，此外ASML也还尝试开发EUV光刻机。
    财大气粗的英特尔一开始就倾向于激进的EUV(13.5nm)方案，希望彻底解决光刻机的波长世界性难题，集中全球顶尖科技精英一起愚公移山，他们说服对高科技开明的克林顿内阁，发起成立了EUVLLC（EUV有限责任公司）。
    EUVLLC由英特尔和美国能源部牵头，集中了当时如日中天的摩托罗拉、IBM和AMD，以及享有盛誉的美国三大国家实验室：劳伦斯利弗莫尔实验室、劳伦斯伯克利实验室和桑迪亚国家实验室，集中数百位世界顶尖科学家，投资2亿美元研发经费，从理论上验证EUV可能存在的技术问题。
    英特尔当时打算邀请光刻机行业第一、第二位的Nikon和ASML加入EUVLLC，但美国政府担心最前沿的光刻机技术落入外国公司手中，反对Nikon和ASML加入。
    ASML为了表现诚意，同意在美国建立一所工厂和一个研发中心，以此满足所有美国本土的产能需求，另外，还保证55%的零部件均从美国供应商处采购，并接受定期审查，做出多项让步后，最后成功加入EUVLLC，能够享受其基础研究成果，Nikon却没有机会加入，失去了同ASML竞争的机会。
    几年之后，终于论证了EUV的可行性，于是EUVLLC的使命完成，公司解散，各个成员踏上独自研发之路。
    ASML加入EUVLLC后，享受到的研究成果大大加快了其EUV的研发进度，2005年摩尔定律陷入停滞，极紫外光刻技术被认为是制程突破10nm制程工艺的关键，但由于EUV光刻机几乎逼近物理学、材料学以及精密制造的极限，光源功率要求极高，透镜和反射镜系统也极致精密，还需要真空环境，配套的抗蚀剂和防护膜的良品率也不高，别说是对日本与荷兰，就算是科技全球第一的美国，举国之力独自突破这项世界最尖端的技术，也是痴人说梦。
    由于技术难度极高，需要巨额的研发资金，尼康和佳能只得选择放弃，彻底沦为中低端光刻机厂商。
    ASML成为唯一的候选人！
    ASML以23%的股权得到英特尔、三星和台积电的53亿欧元的研发EUV光刻机的资金，而这三家客户也因此获得优先供货权。
    ASML也成为美国大财团控股的荷兰高科技公司！
    从1997年，英特尔和美国能源部牵头成立EUVLLC开始，到孙健重生前的2017年，ASML才成功量产第一台EUV光刻机，集中全球物理学、材料学和精密制造极限的技术成果，还用了整整20年的时间！
    EUV光刻机研制成功之难难于上青山不是一句调侃！
    孙健预测再投入1亿美元，汤普森团队就是能研究成功EUV，在EUV光刻机这种人类技术最复杂的宏伟工程面前，GCA即使耗费几十亿美元的研发经费，也不可能独自生产成功，要集中全球最顶尖的物理学、材料学和精密制造等科技成果，也只有美国才有这样的组织能力。
    GCA生产高端光刻机，BSEC生产中低端光刻机，这是收购GCA时，孙健给两家公司的定位，不以他的意志为转移。
    GCA重获新生，ASML将失去进入EUVLLC的机会，ASML独自研制成功EUV光刻机如同痴人说梦话，BSEC也不能！
    苏联解体后，以俄罗斯为首的东欧国家已经倒向西方阵营，同我们友好的国家，其经济和科技实力都不强，在如今

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第一一一六章 不同意

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